专利详情

专利名称	透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置
申请号	CN201410178755.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103956199A	公开（授权）日	2014.07.30
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	吕明昌;宋秋明;杨春雷;顾光一;马续航;冯叶;肖旭东
主分类号	H01B5/14(2006.01)I	IPC主分类号	H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期	透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置至透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法和磁控溅射装置，透明导电薄膜的制备方法包括如下步骤：预备磁控溅射设备、靶材和衬底；所述靶材是掺杂有ZnF₂的ZnO陶瓷靶材，ZnF₂的质量占所述靶材的总质量的0.1％～1％；为衬底建立相对于靶材的、大小为60V～300V的负电势；以及通入工艺气体，开启磁控溅射，在衬底上沉积透明导电薄膜。这种透明导电薄膜的制备方法，在透明导电薄膜的沉积过程中，通过在衬底的背面设置相对于大地具有60V～300V的负电势的背电极，形成稳定的逆向电场，阻止高能O^-离子对已沉积薄膜的轰击。相对于传统透明导电薄膜的制备方法，这种透明导电薄膜的制备方法，可以制备得到质量较好的透明导电薄膜。