专利详情

专利名称	微纳尺度静电力开关及其制造方法
申请号	CN201310035425.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103964364A	公开（授权）日	2014.08.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	聂鹏飞;朱慧珑;粟雅娟;贾昆鹏;杨杰
主分类号	B81B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	微纳尺度静电力开关及其制造方法至微纳尺度静电力开关及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，与源电极和漏电极电连接。依照本发明的微纳尺度静电力开关及其制造方法，采用石墨烯这种单晶薄层导电材料作为膜桥材料，利用电极和支撑电极之间的偏压产生静电力从而将膜桥下拉、形变之后通过金属层将源漏电极连接起来形成开关，开启电压小，不需要较大的驱动电路，能够缩小微纳机械开关的尺寸并与CMOS兼容。