一种Ti3Si1-xAlxC2／TiO2纳米片一体化材料及其制备方法和应用
- 申请号：CN201410136911.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院金属研究所
- 公开(公开)号：CN103962186A
- 公开(公开)日：2014.08.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种Ti3Si1-xAlxC2／TiO2纳米片一体化材料及其制备方法和应用 | ||
| 申请号 | CN201410136911.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103962186A | 公开（授权）日 | 2014.08.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 陈继新;盖建丽;孙连东;苗磊;李美栓;王晓辉;周延春 |
| 主分类号 | B01J32/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J32/00(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种Ti3Si1-xAlxC2／TiO2纳米片一体化材料及其制备方法和应用 至一种Ti3Si1-xAlxC2／TiO2纳米片一体化材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及纳米陶瓷材料领域，具体为一种Ti3Si1-xAlxC2／TiO2纳米片一体化材料及其制备方法和应用。该一体化材料以Ti3Si1-xAlxC2块体材料作为基体，TiO2纳米片生长于基体表面；其中，0＜x≤0.2。将Ti3Si1-xAlxC2块体材料打磨、抛光、清洗、干燥；在温度800℃～1100℃，真空度100Pa～30kPa，保温时间10min～20h条件下处理，即可在Ti3Si1-xAlxC2块体材料表面生长出金红石型TiO2纳米片，从而得到Ti3Si1-xAlxC2/TiO2纳米片一体化材料。该方法制备的TiO2纳米片尺寸可控制在厚度2nm～100nm，表面积0.1微米到几百微米，表面光滑。其中，Ti3Si1-xAlxC2基体材料具有较高的强度、模量、抗热震性以及导电性，而TiO2纳米片具有较大的比表面积，因此Ti3Si1-xAlxC2/TiO2一体化材料将在电加热的高温催化剂载体、光催化等领域具有潜在应用前景。 | ||
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