专利详情

专利名称	一种在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法
申请号	CN201410128252.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103966662A	公开（授权）日	2014.08.06
申请（专利权）人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	发明（设计）人	陆文强;宋金会;王亮;李奇昆
主分类号	C30B25/14(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/14(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法至一种在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，包括锌蒸气制备、锌蒸气输运和氧化锌合成沉积步骤，锌蒸气输运步骤中，锌蒸气与硅电极生长面接触时速度方向与硅电极生长面呈85-95°夹角。特别的，锌蒸气的速度方向与重力方向呈0-5°夹角。本发明锌蒸气与硅电极接触时速度方向与硅电极生长面呈85-95°夹角，锌蒸气首先在棱边处与氧气反应结晶生成氧化锌纳米点，该纳米点择优生长，最终形成横向生长的氧化锌纳米线。本发明无需在表面预先蒸镀金属催化剂，具有工序节约，无杂质的优点；本发明的制造方法还能在硅电极上单独制得横向生长的氧化锌纳米线。