专利详情

专利名称	抗辐射SRAM单元
申请号	CN201410223064.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103971734A	公开（授权）日	2014.08.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘鑫;刘梦新;赵发展;韩郑生
主分类号	G11C11/413(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/413(2006.01)I
专利有效期	抗辐射SRAM单元至抗辐射SRAM单元	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种改进的抗辐射SRAM存储单元，该单元包括以下结构：反相器结构，包括第一反相器结构、第二反相器结构、第三反相器结构、第四反相器结构，其中反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管和另一个反相器结构的一个PMOS管的栅电压；传输结构，由两个NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线j反相位线、字线和存储节点。本发明通过采用改进的SRAM存储单元，使得每个结点都通过一个PMOS和一个NMOS控制另外两个节点，同时每一个结点也都受到一个PMOS和NMOS的控制，这样就实现了节点间的闭环反馈控制，有效的提高了抗高电平翻转能力。