专利详情

专利名称	一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法
申请号	CN201410222013.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103972386A	公开（授权）日	2014.08.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙海涛;刘琦;吕杭炳;龙世兵;刘明
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I
专利有效期	一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法至一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法，包括：预备硅衬底；在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属；在下电极金属上旋涂一层光刻胶，热板烘烤，并采用掩膜对光刻胶进行曝光，然后显影，在光刻胶层形成通孔阵列，在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属；在通孔中沉积氧化物层；在通孔中蒸发上电极金属；剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属，露出下电极金属，得到表面具有凸起阵列的器件；在凸起的上电极金属上加正电压，将下电极金属接地，在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条，得到高存储密度多值纳米晶存储器。利用本发明，解决了目前制备纳米晶存储器流程复杂、不可控、成本高等问题。