专利详情

专利名称	一种制备铜柱凸点的方法
申请号	CN201410218948.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103985647A	公开（授权）日	2014.08.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	发明（设计）人	刘文龙;于中尧
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I
专利有效期	一种制备铜柱凸点的方法至一种制备铜柱凸点的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备铜柱凸点的方法，采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术，包括：在介质层上制备一层导电的金属种子层；在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线；对金属种子层进行刻蚀，留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层，凸点区域之外的金属种子层全部去除，得到第一基片；在第一基片上制备一层绿油层，并将凸点区域的绿油层除去，得到第二基片；在第二基片上依次制备多层干膜，然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻，直至露出凸点区域的焊盘，在焊盘上形成刻蚀盲孔，得到第三基片；对第三基片进行电镀，在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜，然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层，于焊盘上形成铜柱凸点。