
半导体设置及其制造方法
- 申请号:CN201310050106.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN103985751A
- 公开(公开)日:2014.08.13
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 半导体设置及其制造方法 | ||
申请号 | CN201310050106.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103985751A | 公开(授权)日 | 2014.08.13 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 朱慧珑 |
主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I |
专利有效期 | 半导体设置及其制造方法 至半导体设置及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例设置可以包括:衬底;在衬底上形成的背栅;在背栅的相对侧壁上设置的至少一对纳米线;以及夹于背栅与各纳米线之间的背栅介质层。 |
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
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