专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201310050540.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103985756A	公开（授权）日	2014.08.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的背栅隔离结构；以及背栅隔离结构上的相邻的场效应晶体管，其中，所述相邻的场效应晶体管中的每一个包括位于背栅隔离结构上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中，背栅隔离结构作为所述相邻的场效应晶体管的背栅导体的导电路径的一部分，并且，在所述相邻的场效应晶体管的背栅导体之间形成PNP结或NPN结。该半导体器件由于采用背栅隔离结构，可分别地向场效应晶体管的背栅施加不同的电压，从而相应地调节各个场效应晶体管的阈值电压。