专利详情

专利名称	背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器
申请号	CN201420028345.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203774352U	公开（授权）日	2014.08.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	欧阳程;黄志明;周炜;吴敬;高艳卿;龙芳;褚君浩
主分类号	H01L31/09(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/09(2006.01)I;G01N21/00(2006.01)I
专利有效期	背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器至背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器，所述的红外探测器衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元和起补偿作用的补偿元分别位于锗透镜聚光中心焦点位置和边缘区域。该专利的优点在于：能有效消除热敏器件中因衬底效应而引起的等效热容、信号串扰对器件响应率的影响；利用锗透镜的聚光作用，从薄膜衬底背面入射到敏感元上的方式实现浸没式探测，大幅提高了热敏薄膜型红外探测器的响应率和探测率。本专利的公开，对于发展高性能、非制冷热敏薄膜型红外探测器件有一定的指导作用，并可用于单元浸没式红外探测器件的批量生产。