专利详情

专利名称	减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置
申请号	CN201420028386.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203768488U	公开（授权）日	2014.08.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	魏彦锋;杨建荣;张娟;孙权志
主分类号	C30B29/48(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/48(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I
专利有效期	减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置至减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置。装置包括石墨支架、石墨板、石墨滑块和石墨盖板,石墨板上有衬底槽和母液收集槽，衬底和垫片叠放在衬底槽内。其特征在于：通过控制垫片与衬底的厚度，使其总厚度略小于衬底槽的深度，从而有利于母液刮除并不会划伤衬底表面；在石墨板上有一个母液收集槽，使得生长结束后，尚未冷却的液态母液可以被有效收集，不会回流到衬底表面。通过以上的改进，可以有效减少外延材料表面的残留母液。