专利详情

专利名称	用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架
申请号	CN201420028369.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203768483U	公开（授权）日	2014.08.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	杨建荣;魏彦锋;孙瑞贇;孙权志
主分类号	C30B19/06(2006.01)I	IPC主分类号	C30B19/06(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I
专利有效期	用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架至用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架，该样品架采用多边形结构，底部设置用于上下搅拌的托板，通过在母液中旋转和上下运动实现母液的均匀化；样品架的主体采用高纯石墨制作，表面由石英垫片和氮化硼底部托板覆盖，能有效防止石墨材料产生碎屑并沾污母液；采用石英垫片还能有效地防止母液对衬底背面的粘附。所发明的样品架用于材料生长时，样品架对衬底进行固定的机构不浸入母液，在不经过高温烘烤条件下，外延后能对衬底或外延片进行装卸，且母液在外延材料边缘残留的尺寸小，能够满足浸渍式碲镉汞液相外延材料批量化生产的需求。