专利详情

专利名称	非制冷长波红外探测器用吸收层结构
申请号	CN201420028407.0	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203772418U	公开（授权）日	2014.08.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	欧阳程;黄志明;周炜;吴敬;高艳卿;龙芳;褚君浩
主分类号	G01J5/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/02(2006.01)I;G01J5/08(2006.01)I
专利有效期	非制冷长波红外探测器用吸收层结构至非制冷长波红外探测器用吸收层结构	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上，自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于：第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜，作为减反层和器件保护层，膜厚为1000nm 1200nm；第二金属层是膜厚为8nm 12nm的镍铬合金层，作为红外波段的吸收层；第三绝缘层是膜厚为50nm 100nm的二氧化硅薄膜，作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单，易与现有的微电子工艺兼容，适用于单元、线列及面阵红外探测器。本专利所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8 14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。