
一种基于可见到近红外波段吸收膜系结构
- 申请号:CN201420028381.X
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN203766150U
- 公开(公开)日:2014.08.13
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种基于可见到近红外波段吸收膜系结构 | ||
申请号 | CN201420028381.X | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN203766150U | 公开(授权)日 | 2014.08.13 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 张云;陈鑫;孙艳;魏调兴;董文静;张克难;戴宁 |
主分类号 | B32B15/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B32B15/04(2006.01)I |
专利有效期 | 一种基于可见到近红外波段吸收膜系结构 至一种基于可见到近红外波段吸收膜系结构 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型公开了一种基于可见到近红外波段吸收膜系结构,在任意衬底上采用气相沉积、液相沉积依次生长金属薄膜层、介质薄膜层,其后利用气相沉积或气相沉积结合退火工艺在介质薄膜层上生长金属颗粒无序分布层。其中金属薄膜层厚度为80nm-1μm,介质薄膜层厚度为1nm-200nm,金属颗粒无序分布层中等效薄膜层平均高度为5nm-100nm,颗粒平均尺寸为10nm-200nm,金属颗粒表面覆盖率为3%-90%。此可见到近红外波段吸收膜系结构具有在可见到近红外特定波段吸收率达到99%的近完美吸收特性。本实用新型的优点是:工艺简单,成本低,偏正不敏感,角度不敏感,可控性好,协调性高,可大面积生长,对衬底无要求、纳米加工技术成熟。 |
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