GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法
- 申请号：CN201410229185.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学技术大学
- 公开(公开)号：CN103985655A
- 公开(公开)日：2014.08.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法 | ||
| 申请号 | CN201410229185.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103985655A | 公开（授权）日 | 2014.08.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 尤杰;郭国平;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 |
| 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
| 专利有效期 | GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法 至GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤；b.基片预处理步骤；c.量子点的制备步骤；和d.量子点样品的分块封装步骤。 | ||
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