专利详情

专利名称	一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法
申请号	CN201410250429.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103991841A	公开（授权）日	2014.08.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;陈传钊;许鹏程
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法至一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，包括步骤：1)提供一表面具有微通道和储液池的基底，生长第一自组装单层膜；2)提供一具有镂空结构的硬掩膜，对准后，利用紫外光穿过镂空结构辐照至第一自组装单层膜的局部区域，使所述第一自组装单层膜的局部区域被氧化去除；3)在去除第一自组装单层膜的区域生长第二自组装单层膜。4)重复步骤2)，局部去除所述第一自组装单层膜的另一局部区域，并在这一区域生长第三自组装单层膜；5)继续重复上述去除和生长步骤，实现多重自组装单层膜在圆片级基底表面的集成生长。该方法可应用于多功能微流控芯片的批量制造，且材料制备简单成熟，易于操作，单次操作成本低廉，具有较强的推广及应用价值。