专利详情

专利名称	一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法
申请号	CN201410220512.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103996673A	公开（授权）日	2014.08.20
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	郭红霞;陈伟;郭旗;何承发;罗尹虹;文林;王玲;张凤祁;赵雯;肖尧
主分类号	H01L23/552(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/552(2006.01)I;G21F1/12(2006.01)I
专利有效期	一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法至一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。