专利详情

专利名称	静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用
申请号	CN201410253724.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103991914A	公开（授权）日	2014.08.20
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	向斌;沈梦;杨雷
主分类号	C01G53/04(2006.01)I	IPC主分类号	C01G53/04(2006.01)I;B01J23/755(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用至静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及高缺陷纳米线NiO的制备方法及其在光催化方面的应用。该方法主要特征在于以乙酸镍，N-N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为前驱体，通过简单的静电纺丝的方法，在铝箔上合成许多一维的复合纳米线。然后经过非平衡态的煅烧过程，由于气相的逸出，产生孔洞空穴等，致使NiO纳米线表面产生大量的台阶和纽结等表面缺陷，降低表面能，使得NiO的高能面能够保存下来，大大地提高了催化效率。通过定义暴露的高能面原子密度，定量计算高能面原子密度，从而达到可控的提高光催化效率，这为以后的催化研究提供了方向。