专利详情

专利名称	多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用
申请号	CN201410218728.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104003454A	公开（授权）日	2014.08.27
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	宋卫国;窦智峰;曹昌燕
主分类号	C01G51/04(2006.01)I	IPC主分类号	C01G51/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01N33/00(2006.01)I
专利有效期	多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用至多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用。本发明提供的制备四氧化三钴纳米线的方法，包括如下步骤：将可溶性无机钴盐、无机氟盐、碱源与水混匀后进行水热反应，反应完毕后收集絮状沉淀进行煅烧，得到所述四氧化三钴纳米线。本发明提供的表面氟掺杂一维多孔氧化钴纳米线，具有结构新颖独特、原料适用性广、成本低、方法简单安全、易于工业化生产等优点。它可广泛的用于环境中易燃、易爆、有毒的一氧化碳气体的气敏监(检)测，具有广阔的应用空间。