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一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法和应用

  • 申请号:CN201410209462.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN104005004A
  • 公开(公开)日:2014.08.27
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法和应用
申请号 CN201410209462.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104005004A 公开(授权)日 2014.08.27
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 侯鹏翔;李金成;刘畅;成会明
主分类号 C23C16/26(2006.01)I IPC主分类号 C23C16/26(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期 一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法和应用 至一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法和应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接、可控制备领域,具体为一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法和应用。以液态含氮有机物为碳源和氮源,以氢气和氩气为载气,以非金属氧化硅为催化剂,利用化学气相沉积法生长单壁碳纳米管,氮在碳纳米管成核、生长过程中作用于催化剂,并原位掺杂在单壁碳纳米管网格上,在一定温度下同时进行单壁碳纳米管的生长和氮元素的掺杂,最终获得小直径、金属性的单壁碳纳米管网络样品。本发明实现了金属性单壁碳纳米管直接控制生长,且得到的样品不含金属污染物,突破了直接制备金属性单壁碳纳米管的瓶颈,克服了现有后处理分离方法获得金属性碳纳米管的缺点,即对碳纳米管本征结构破坏严重、过程复杂等问题。

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