专利详情

专利名称	应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路
申请号	CN201420060214.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203798736U	公开（授权）日	2014.08.27
申请（专利权）人	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所	发明（设计）人	武晓东;陈忠祥;王策;马玉婷;裴智果;钟金凤;严心涛;吴云良
主分类号	G01N21/64(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/64(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I
专利有效期	应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路至应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本实用新型公开了应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括控制信号单元、控制信号调理单元、无温漂放大单元、输出缓冲单元和反馈单元，控制信号经过控制信号调理单元进行信号调理，然后经过无温漂放大单元放大得到所需要的偏置电压值，再经过输出缓冲单元以及反馈单元控制输出的稳定性。本实用新型采用元器件之间的温度漂移系数相互耦合的办法，消除了以往高压偏置电路的电压随温度漂移的问题，具有高温度稳定性的高压输出，输出不随信号增大而下降等优点，满足APD工作时的高压偏置需求。