专利详情

专利名称	CMP仿真模型中研磨垫与芯片表面接触压力的计算方法
申请号	CN201410240641.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104021247A	公开（授权）日	2014.09.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐勤志;陈岚
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	CMP仿真模型中研磨垫与芯片表面接触压力的计算方法至CMP仿真模型中研磨垫与芯片表面接触压力的计算方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种CMP仿真模型中研磨垫与芯片表面接触压力的计算方法，包括：根据芯片版图设计，将芯片表面划分成图形结构区和场区，所述图形结构区包括多个块状图形结构，所述场区为所述芯片表面各块状图形结构外的区域；根据各块状图形结构的线宽和芯片表面高度差异，对所述图形结构区和场区进行表面封装，形成多个封装块；对所述多个封装块的表面进行网格划分，并利用接触力学方程组，求解芯片表面各封装块的初始接触压力分布；根据各封装块内的线宽和表面高度差异，进一步求解各封装块表面的接触压力分布，该方法不仅能够同时兼顾计算效率和计算精度，而且具有一般性和通用性。