专利详情

专利名称	一种用于氦冷固态氚增殖包层增殖单元的冷却及提氚回路设计
申请号	CN201410245348.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104021819A	公开（授权）日	2014.09.03
申请（专利权）人	中国科学院等离子体物理研究所	发明（设计）人	雷明准;宋云涛;叶民友;郑金星;刘旭峰;祁松松;覃世军;尹苗;孙鹏飞;徐坤;魏川子
主分类号	G21B1/11(2006.01)I	IPC主分类号	G21B1/11(2006.01)I
专利有效期	一种用于氦冷固态氚增殖包层增殖单元的冷却及提氚回路设计至一种用于氦冷固态氚增殖包层增殖单元的冷却及提氚回路设计	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于氦冷固态氚增殖包层增殖单元的冷却及提氚回路，包括有增殖单元的球床区，球床区中设有两个冷却板，球床区的一端设有氦冷回路以及提氚回路，氦冷回路中氦气由氦冷回路进气口进入，经底部氦气分流腔分流后进入冷却板，然后进入氦气集流腔，最后通过氦冷回路出气口流出增殖单元；提氚回路中提氚气体由提氚回路进气口进入，经过底部提氚气体分流腔分流后进入球床区带走反应产生的氚，然后进入提氚气体集流腔，最后通过提氚回路出气口流出增殖单元。本发明满足了增殖单元冷却和提氚的要求，同时又将冷却回路和提氚回路集成在了一个腔室中，但又不影响其各自的功能，实现了回路的集成化以及氚增殖空间的有效增大。