专利详情

专利名称	二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜
申请号	CN201410258890.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104035146A	公开（授权）日	2014.09.10
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	罗海瀚;刘定权;蔡清元;李耀鹏
主分类号	G02B1/11(2006.01)I	IPC主分类号	G02B1/11(2006.01)I
专利有效期	二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜至二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了本发明公开了二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜，该增透膜使用了硫化锌(ZnS)和氟化镱(YbF₃)为不同折射率的膜层材料，使用离子源辅助沉积与合适的基底烘烤温度等特定工艺条件，在基底的两个表面分别沉积8层非规整的膜层。该增透膜元件可以使得在1.25～4.0微米(μm)区间具有良好的透光效果，平均透过率＞95％。TeO₂晶体是一种优质的声光晶体，广泛应用于声光调制器，该增透膜可以有效提高声光调制器的光学效率，在宽光谱应用方面呈现出明显优势。