专利详情

专利名称	一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法
申请号	CN201410308999.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104049474A	公开（授权）日	2014.09.17
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	冯金花;胡松;何渝;李艳丽
主分类号	G03F7/207(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/207(2006.01)I
专利有效期	一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法至一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法，所述的方法在照明系统经扩束后由光纤引入光路，经过聚光镜均匀照明标记光栅，标记光栅经第一远心成像系统，再由棱镜成像在硅片表面，被反射后经过棱镜，第二远心成像系统；通过分光棱镜将光路分成两支，两支光路结构相同，每支光路都通过横向剪切板，平行平板形成干涉图样和目标像由检测光栅调制，经过检偏器，再由光电探测器和电路解调，硅片焦面位置的移动引起调制光强发生正弦变化，根据两支光路光强的正弦变化，求出标记光栅相位变化，确定标记光栅像的平移量，从而求出焦面位置的变化量。