专利详情

专利名称	一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法
申请号	CN201310081938.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104046984A	公开（授权）日	2014.09.17
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	刘光辉;杨华;刘茜;魏钦华;周真真;卢琦
主分类号	C23C26/00(2006.01)I	IPC主分类号	C23C26/00(2006.01)I;G21K4/00(2006.01)I
专利有效期	一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法至一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法，其包括如下步骤：a)对单晶硅片进行表面清洁和去氧化层预处理；b)采用化学刻蚀方法在经步骤a)预处理后的单晶硅片表面刻蚀出多孔；c)将步骤b)获得的表面刻蚀有多孔的单晶硅片置入Ce_xLu_1-x(NO₃)₃乙酸溶液中，在25～60℃下浸渍8～12小时后，干燥备用；其中，Ce_xLu_1-x(NO₃)₃中的x=0.001～0.040；d)将步骤c)得到的单晶硅片在惰性气氛中、于1000～1200℃下进行热处理2～4小时。本发明可实现以简单操作、低成本、大面积制备厚度可达30～60微米、且薄膜与衬底结合牢固的掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜，具有应用前景。