专利详情

专利名称	一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法
申请号	CN201410318509.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104045056A	公开（授权）日	2014.09.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	发明（设计）人	褚衍彪;万里兮
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法至一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法。包括：准备事先制备的纳米线；将所述纳米线悬浮在溶剂中，形成均匀的悬浊液；将所述悬浊液装入离心管；所述悬浊液进行高速离心沉淀，所有的纳米线沉淀在管底，形成有序堆积的纳米线沉淀；移除上清液，将有序堆积的纳米线沉淀进行烘干并从离心管管底剥离，完成制造有序堆积的纳米线膜/体。本发明提供的纳米线膜/体的制造方法不需要生长种子层就能获得致密的纳米材料，且不受材料和制备方法的限制。