专利详情

专利名称	一种硅纳米线探针结构的制作方法
申请号	CN201410300612.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104049112A	公开（授权）日	2014.09.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;东南大学	发明（设计）人	李铁;袁志山;陈云飞;梁晨;张啸;倪中华;易红;王跃林
主分类号	G01Q70/12(2010.01)I	IPC主分类号	G01Q70/12(2010.01)I
专利有效期	一种硅纳米线探针结构的制作方法至一种硅纳米线探针结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。