专利详情

专利名称	抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法
申请号	CN201410250530.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104051002A	公开（授权）日	2014.09.17
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	冯汝鹏;徐伟;郑晓云;朴永杰;王绍举;徐拓奇;金光
主分类号	G11C11/413(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/413(2006.01)I
专利有效期	抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法至抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法，涉及现场可编程门阵列的空间抗单粒子翻转领域，解决现有SRAM型FPGA刷新电路及方法利用外部控制器实现对配置命令和配置数据的重新加载，存在电路复杂度高，控制器存在不稳定性等问题，采用两片相同的存储器，BOOT存储了完整的配置文件，配置文件中包含了用户要实现的功能模块和FGPA实现自身刷新的刷新模块，SCRUB存储了编辑后的配置文件，FPGA加载完第一片存储器后，刷新模块启动进入刷新模式，通过周期性地读取SCRUB存储器中的配置文件，实现FPGA正常工作下的周期刷新。本发明有效地降低FPGA刷新的功耗和电路复杂度。