专利详情

专利名称	一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法
申请号	CN201410281186.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104051009A	公开（授权）日	2014.09.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	张锋
主分类号	G11C16/06(2006.01)I	IPC主分类号	G11C16/06(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I
专利有效期	一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法至一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于存储器技术领域，公开了一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，包括：行译码器、列译码器、第一数据选择器以及第二数据选择器；所述第二数据选择器连接控制信号；所述控制信号包括：写使能信号和读使能信号，用于选择存储器的工作模式，即读出或者写入；所述第二数据选择器分别与所述第一数据选择器以及所述RRAM的外围电路相连，用于数据的读出或者写入；其中，所述行译码器接收外部行选通地址信号，进行地址译码，并发送给RRAM的存储阵列，选通一行存储单元；所述列译码器接收外部列选通地址信号，进行地址译码，并发送给所述第一数据选择器，选通多列存储单元。本发明通过同时选通多个存储单元，提升存储单元的读写速度。