专利详情

专利名称	多位高集成度垂直结构存储器的制备方法
申请号	CN201410276211.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104051623A	公开（授权）日	2014.09.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	付英春;王晓峰;杨富华
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	多位高集成度垂直结构存储器的制备方法至多位高集成度垂直结构存储器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积第一电热隔离材料层；淀积第一电极材料层，淀积第二电热隔离材料层；淀积第二电极材料层，形成第二下电极；淀积第三电热隔离材料层；制作第三下电极；淀积第四电热隔离材料层；依次淀积存储材料层及第四电极材料层，淀积第五电热隔离材料层；淀积第五电极材料层；在第五电热隔离材料层开孔至上电极的上表面；淀积第六电极材料层，并去除第六掩模开槽并剥离形成三个第二测试电极。本发明对于快速实现小单元功耗及大单位面积集成度，与现有的CMOS工艺兼容，具有非常好的产业化应用前景。