专利详情

专利名称	一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法
申请号	CN201410293014.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104064557A	公开（授权）日	2014.09.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	发明（设计）人	于中尧
主分类号	H01L25/065(2006.01)I	IPC主分类号	H01L25/065(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I
专利有效期	一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法至一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法，所述结构包括第一芯片、第二芯片和再布线层，第一芯片和第二芯片设置在再布线层上，其中第一芯片和第二芯片距离再布线层具有第一距离；还包括第一限高块和第二限高块，第一限高块和第二限高块设置在再布线层上，其中第一限高块和第二限高块距离再布线层具有第二距离；其中，第一限高块和第二限高块之间分别布置第一芯片和第二芯片；再布线层、第一限高块、第二限高块、第一芯片、第二芯片构成了第一空间，且第一空间内填充树脂；其中，第二距离等于第一距离。本发明通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。