一种超薄蒙脱土纳米片及其制备方法和应用
- 申请号：CN201410315091.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN104071798A
- 公开(公开)日：2014.10.01
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种超薄蒙脱土纳米片及其制备方法和应用 | ||
| 申请号 | CN201410315091.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104071798A | 公开（授权）日 | 2014.10.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王文中;孙松美 |
| 主分类号 | C01B33/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/20(2006.01)I;B01J23/31(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种超薄蒙脱土纳米片及其制备方法和应用 至一种超薄蒙脱土纳米片及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种超薄蒙脱土纳米片及其制备方法和应用，所述方法包括：1）将钠基蒙脱土分散于水中形成的钠基蒙脱土第一悬浮液，所得第一悬浮液于-5～-50℃冷冻12～120小时得到钠基蒙脱土冷冻液；2）将步骤1）所得的钠基蒙脱土冷冻液解冻后，进行超声处理，离心去除钠基蒙脱土颗粒，得钠基蒙脱土第二悬浮液；3）将步骤2）制备的所述第二悬浮液经冷冻干燥制得所述超薄蒙脱土纳米片。 | ||
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