
一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法
- 申请号:CN201410246865.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN104073876A
- 公开(公开)日:2014.10.01
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法 | ||
申请号 | CN201410246865.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN104073876A | 公开(授权)日 | 2014.10.01 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 顾溢;张永刚 |
主分类号 | C30B25/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
专利有效期 | 一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法 至一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法,在分子束外延生长异质材料时,先关闭生长前一层材料所需的所有快门,经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门,即可;其中,0<t≤0.5。本发明克服快门机械移动过程引起的异质材料界面问题,使异质材料具有更优的异质界面质量,可用于制备多量子阱、超晶格、量子级联激光器等多种结构,具有广泛的应用前景。 |
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