专利详情

专利名称	一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法
申请号	CN201410307391.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104078335A	公开（授权）日	2014.10.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王斌;于广辉;赵智德;徐伟;隋妍萍;张燕辉
主分类号	H01L21/205(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I
专利有效期	一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法至一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。