专利详情

专利名称	一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法
申请号	CN201410312619.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104071745A	公开（授权）日	2014.10.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨勋;李铁;张啸;戴鹏飞;王跃林
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法至一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入制备漏极和源极，构成了基于硅纳米线的场效应管，由于硅纳米线整体贴在氮化硅薄层上，成品率得到很大提高。所制备的纳米线直径和长度可控，比表面积大，活性强，可作为气体传感器和生化传感器的敏感元件，具有广阔的应用前景。