专利详情

专利名称	混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法
申请号	CN201410337868.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104078567A	公开（授权）日	2014.10.01
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	杨丽霞;刘尧平;王燕;陈伟;梁会力;梅增霞;杜小龙
主分类号	H01L51/48(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/48(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I
专利有效期	混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法至混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明提供了一种有机无机混合太阳能电池及其制备方法和空穴输运层形成方法。其中，混合太阳能电池的空穴输运层形成方法包括：步骤A：对硅衬底的正面进行制绒处理，形成金字塔结构界面；步骤B：将具有金字塔结构界面的硅衬底在氢氟酸和硝酸混合溶液中进行各向同性刻蚀，以圆滑化金字塔结构的底部；以及步骤E，在硅衬底正面的金字塔结构界面上匀胶旋涂共轭聚合物，对该共轭聚合物进行退火处理形成p型空穴输运层。本发明对硅衬底金字塔结构的底部进行低成本的化学处理后，底部变的圆滑、开阔，基本保持了金字塔的减反射效果，而且还可以确保共轭有机聚合物在金字塔上的保角覆盖。