专利详情

专利名称	双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法
申请号	CN201410300624.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104078431A	公开（授权）日	2014.10.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	朱春生;宁文果;李桁;徐高卫;罗乐
主分类号	H01L23/31(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/31(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I
专利有效期	双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法至双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法，其特征在于结构上由双层底充胶填充，第一层在芯片端，在圆片上采用旋涂工艺制作；第二层在基板端，在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充；第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量较低第二层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量；(2)芯片与基板的连接是由铜凸点和含锡焊料凸点两部分构成，实现高密度连接；(3)铜凸点分两次制作，以保证第一层底充胶的完全填充和确保凸点与含锡焊料的足够接触。提供的整个工艺过程与现有IC工艺兼容，有较高的垂直互连密度、较好的电气连接特性、较高的机械稳定性。通过加速热循环等测试可以得出，具有此种封装结构的芯片，寿命得到了较大提高。