专利详情

专利名称	FLASH器件及其制造方法
申请号	CN201310100318.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104078466A	公开（授权）日	2014.10.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	FLASH器件及其制造方法至FLASH器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种FLASH器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的阱区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括依次设置的浮栅电介质、浮栅导体、控制栅电介质和控制栅导体，并且浮栅电介质将浮栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与控制栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。