一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法
- 申请号：CN201410331508.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院等离子体物理研究所
- 公开(公开)号：CN104085884A
- 公开(公开)日：2014.10.08
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法 | ||
| 申请号 | CN201410331508.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104085884A | 公开（授权）日 | 2014.10.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 李洁;王奇;韦娟;陈长伦;王祥科 |
| 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法 至一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法，将GO旋涂在ITO导电玻璃上，烘干后置于等离子放电室中，放电室内接有石墨电极，电极连接一个射频交流电源，该电源能够产生电感耦合等离子体源，放电前先通入氩气，赶走空气，然后打开真空泵抽真空至2Pa左右，通入H2和Ar混合气体。H2和Ar总气体流量为3sccm，H2和Ar的流量比为2/1，此时打开交流电源产生氢和氩混合等离子体，交流电功率为70w，将该等离子体流直接作用在GO薄膜上，放电5min后得到还原氧化石墨烯(rGO)薄膜。该方法不仅能有效还原GO，而且快速、高效、绿色同时不引入杂质。将制得的rGO薄膜用作电极材料，rGO薄膜的比容量为211.8F/g，高于其他还原方法得到的还原石墨烯的比容量。 | ||
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