专利详情

专利名称	一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器
申请号	CN201410367510.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104092092A	公开（授权）日	2014.10.08
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	陈创天;徐波;王晓洋;范飞镝;刘丽娟;李如康
主分类号	H01S3/109(2006.01)I	IPC主分类号	H01S3/109(2006.01)I
专利有效期	一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器至一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其由具有相互平行的前、后抛光表面的片状氟硼铍酸钾族晶体；分别镀于前、后抛光表面上的前增透膜和后增透膜；内开有方形卡槽且沿中心轴线方向设有贯穿晶体的通光孔的柱状晶体架和外加热套组成；晶体置于方形卡槽中，且晶体前、后表面和方形卡槽大面一致，卡槽大面法线和晶体架中心轴线成θ角；基频激光直接经前增透膜斜入射至晶体，在晶体中产生的倍频光经后增透膜射出，可避免现有技术中基频激光通过耦合棱镜射入晶体而引起的光胶界面损耗甚至界面损坏；加热套将晶体架和晶体加热到恒定温度，可提高晶体的热稳定性，提高倍频激光输出功率稳定性；且结构简单、成本低，适用于中高功率激光系统。