FinFET及其制造方法
- 申请号：CN201310119849.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN104103517A
- 公开(公开)日：2014.10.15
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201310119849.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104103517A | 公开（授权）日 | 2014.10.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;洪培真;殷华湘 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | FinFET及其制造方法 至FinFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种FinFET及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成鳍；在衬底上依次形成覆盖鳍的栅介质层和栅导体层；按照要形成的栅图案，对栅导体层进行刻蚀，其中刻蚀停止于大致与鳍的顶面相对应的位置；在刻蚀后的栅导体层的侧壁上形成第一侧墙；继续刻蚀栅导体层，以形成栅图案；以及在继续刻蚀后的栅导体层的侧壁上形成第二侧墙。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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