专利详情

专利名称	一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法
申请号	CN201410353645.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104099579A	公开（授权）日	2014.10.15
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	宋志伟;褚卫国
主分类号	C23C16/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/34(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I
专利有效期	一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法至一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种超薄硅氮化合物膜材料及其制备方法：将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入NH₃气体和SiH₄气体作为反应气体，通入氩气作为载体和保护气体，进行气相沉积，获得超薄氮化硅膜材料。其中，控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为50～80℃，工作压力为3～5Pa，功率为190～330W；所述气相沉积时间为15～30s；所述SiH₄气体与NH₃气体的体积比为14～18，氩气与SiH₄气体的体积比为1～4。本发明在四英寸硅基体上制备得到的硅氮化合物膜材料的厚度小于10nm，薄膜不均匀性小于1.0％。