专利详情

专利名称	一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法
申请号	CN201410151854.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104109785A	公开（授权）日	2014.10.22
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	陈海燕;陈小源;王春林;林珊珊;赵玲;杨康;王会利
主分类号	C22C23/00(2006.01)I	IPC主分类号	C22C23/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22F1/06(2006.01)I
专利有效期	一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法至一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法，所述Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料具有层状结构，其化学通式为Mg₂Si_xSn_1-xM_y，其中，M表示为掺杂元素，选自Sb、Bi、Ga、Ag、Cu或Al中的一种，0.3≤x≤0.9，0.005≤y≤0.15；每一层结构都具有不同的Mg：Si：Sn原子摩尔含量比、以及不同的M掺杂浓度；每一层结构由Mg-Si-Sn基体以及弥散分布的与基体形成共格界面或半共格界面的Mg-Si-Sn纳米晶粒第二相组成。该Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料因具有共格界面和调制掺杂结构，其晶格热导率低、热电性能好，可广泛应用于航天、国防以及汽车等领域。