专利详情

专利名称	具有高膜基结合力的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法
申请号	CN201410350870.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104112562A	公开（授权）日	2014.10.22
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	祁晓玉;王永;张健;杜娟;夏卫星;闫阿儒;刘平
主分类号	H01F10/16(2006.01)I	IPC主分类号	H01F10/16(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I
专利有效期	具有高膜基结合力的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法至具有高膜基结合力的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种具有高膜基结合力的Sm-Co基永磁薄膜，该Sm-Co基永磁薄膜与基体之间是缓冲层，该缓冲层是两层结构，一层是与位于基体表面的铜薄膜层，另一层是位于铜薄膜层表面的钨薄膜层，该缓冲层能够有效提高Sm-Co基永磁薄膜与基体的结合力。实验证实，具有该结构的Sm-Co基永磁薄膜在热处理过程中的热处理温度得到大幅度提高，能够从现有的600℃～800℃上升至900℃以上，甚至当热处理温度高达1000℃时仍与基体结合完好，未出现脱落现象。