专利详情

专利名称	存储器件及其制造方法和存取方法
申请号	CN201310138397.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104112747A	公开（授权）日	2014.10.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑
主分类号	H01L27/108(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;G11C11/407(2006.01)I
专利有效期	存储器件及其制造方法和存取方法至存储器件及其制造方法和存取方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种存储器件及其制造方法和存取方法。一示例存储器件可以包括：衬底；在衬底上形成的晶体管，包括栅堆叠以及栅堆叠两侧的源区和漏区；在衬底中形成的电容器结构，该电容器结构的至少一部分延伸到晶体管的沟道区下方，其中，该存储器件还包括电容器结构与晶体管的漏区之间的隧穿通道，该隧穿通道被配置为在晶体管导通且晶体管的源区与电容器结构之间存在一定的电压差时，通过隧穿效应，允许晶体管沟道区中的载流子进入电容器结构中或者释放电容器结构中存储的载流子。