专利详情

专利名称	半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
申请号	CN201410147977.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104112803A	公开（授权）日	2014.10.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	项若飞;汪连山;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;张恒;冯玉霞;焦春美;魏鸿源;杨少延;王占国
主分类号	H01L33/16(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/16(2010.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法至半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。