专利详情

专利名称	一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法
申请号	CN201410373870.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104124122A	公开（授权）日	2014.10.29
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	李振军;和峰;白冰;杨晓霞;李驰;裘晓辉;戴庆
主分类号	H01J9/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01J9/02(2006.01)I
专利有效期	一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法至一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC，从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性，可以改变CNT的表面性质，降低CNT场致发射的开启场强，提高CNT的场发射电流密度；DLC薄膜含有碳原子sp3杂化结构成分，具有较好的机械性能，在一定程度上能够对包裹的CNT起到保护作用，提高CNT场发射性能的稳定性；该方法可以生长整齐排列的直立CNT和DLC复合材料的阵列结构，并且可以通过调控生长参数获得理想的CNT和DLC复合材料，便于实际应用。