存储器件及其制造方法和存取方法
- 申请号：CN201310160970.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN104134668A
- 公开(公开)日：2014.11.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 存储器件及其制造方法和存取方法 | ||
| 申请号 | CN201310160970.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104134668A | 公开（授权）日 | 2014.11.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 存储器件及其制造方法和存取方法 至存储器件及其制造方法和存取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种存储器件及其制造方法和存取方法。一示例存储器件可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；晶体管，包括：在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠与鳍相交；以及在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层，其中，在栅堆叠的一侧，背栅介质层在面对鳍的区域处具有减薄部分。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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