专利详情

专利名称	新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件
申请号	CN201410349844.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104134700A	公开（授权）日	2014.11.05
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	梅增霞;叶大千;刘利书;梁会力;刘尧平;杜小龙
主分类号	H01L29/786(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/786(2006.01)I;H01L31/113(2006.01)I
专利有效期	新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件至新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件。新型薄膜晶体管包括：栅极、源极以及漏极；衬底；栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上的Mg_xZn_1-xO沟道层，其中0≤x≤1；其还包括：布置在所述Mg_xZn_1-xO沟道层与所述源极之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层由绝缘材料形成。本发明的Mg_xZn_1-xO新型薄膜晶体管，通过在沟道层和源极之间设置第二绝缘层作为势垒层，结合晶体管栅压的极性调控作用，改变了传统的晶体管特性，具有新颖的I-V特性，构成新颖的器件结构，可应用于不同的光电子和微电子器件领域。